學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界普遍認(rèn)為太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。 **代為單晶硅太陽(yáng)能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池,第三代太陽(yáng)能電池就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。
銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池是多元化合物薄膜電池的重要一員,由于其優(yōu)越的綜合性能,已成為全球光伏領(lǐng)域研究熱點(diǎn)之一。 本文闡述了銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的特性和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì);介紹了國(guó)內(nèi)外在銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀;**后探討了銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的應(yīng)用展望。
近幾年,世界各國(guó)加速發(fā)展各種可再生能源替代傳統(tǒng)的化石能源,以解決日益加劇的溫室效應(yīng)、環(huán)境污染和能源枯竭等全球危機(jī)。 作為理想的清潔能源,太陽(yáng)能永不枯竭,正成為當(dāng)今世界**具發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)業(yè)之一。 目前,太陽(yáng)能電池市場(chǎng)主要產(chǎn)品是單晶硅和多晶硅太陽(yáng)能電池,占市場(chǎng)總額的80%以上。 由于晶硅電池的高成本和生產(chǎn)過(guò)程的高污染,成本更低、生產(chǎn)過(guò)程更加環(huán)保的薄膜太陽(yáng)能電池得到快速發(fā)展。 現(xiàn)階段,有市場(chǎng)前景的薄膜太陽(yáng)能電池有3種,分別是非晶硅、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CuInGaSe2,一般簡(jiǎn)稱CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池。 作為直接帶隙化合物半導(dǎo)體,銅銦鎵硒吸收層吸收系數(shù)高達(dá)105cm-1,轉(zhuǎn)化效率是所有薄膜太陽(yáng)能電池中**高的,已成為全球光伏領(lǐng)域研究熱點(diǎn)之一,即將成為新一代有競(jìng)爭(zhēng)力的商業(yè)化薄膜太陽(yáng)能電池。
1、銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池的特性和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
太陽(yáng)能電池的材料一般要求主要包括:半導(dǎo)體材料的禁帶寬度適中;光電轉(zhuǎn)化效率比較高;材料制備過(guò)程和電池使用過(guò)程中,不存在環(huán)境污染;材料適合規(guī);⒐I(yè)化生產(chǎn),且性能穩(wěn)定。 經(jīng)過(guò)數(shù)十年電子工業(yè)的研究發(fā)展,作為半導(dǎo)體材料硅的提煉、摻雜和加工等技術(shù)已經(jīng)非常成熟,所以,現(xiàn)在的商品太陽(yáng)能電池主要硅基的。 但是,硅是間接帶隙半導(dǎo)體材料,在保證電池一定轉(zhuǎn)化效率前提下,其吸收層厚度一般要求150~300微米以上,理論極限效率為29%,按目前技術(shù)路線,提升效率的難度已經(jīng)非常巨大。 同時(shí)考慮到加工過(guò)程近40%的材料損耗,材料成本是硅太陽(yáng)能電池的**主要構(gòu)成。 另外,其材料生產(chǎn)過(guò)程的高溫提煉、高溫?cái)U(kuò)散導(dǎo)致其制備過(guò)程能耗高,這使其能量?jī)斶周期長(zhǎng),整體成本高。 盡管經(jīng)過(guò)近幾年的規(guī);l(fā)展,市場(chǎng)價(jià)格得到大幅下降,其每瓦成本仍高于2美元。 如果再考慮到其制備過(guò)程的高污染,更增加了其環(huán)境治理社會(huì)成本,這些都嚴(yán)重制約了其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 相比較,薄膜太陽(yáng)能電池具有較大的成本下降空間,同時(shí)它能夠以多種方式嵌入屋頂和墻壁,非常適合光電一體化建筑和大型并網(wǎng)電站項(xiàng)目。 在這種情況下,薄膜太陽(yáng)能電池引起了人們的重視,近幾年成了科技工作者的研究重點(diǎn)。 從全球范圍來(lái)看,光伏產(chǎn)業(yè)近期仍將以高效晶體硅電池為主。 但向薄膜太陽(yáng)能電池和各種新型太陽(yáng)能電池等低成本、低能耗、低污染的方向過(guò)渡已經(jīng)成為光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。 目前,國(guó)際主要光伏企業(yè)已經(jīng)放緩了對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)能的擴(kuò)張,我國(guó)已經(jīng)出臺(tái)相應(yīng)政策,抑制晶硅行業(yè)的盲目擴(kuò)張。
技術(shù)比較成熟,且有發(fā)展?jié)摿Φ谋∧ぬ?yáng)能電池有3種,分別是非晶硅(a-Si)、碲化鎘(CdTe)、銅銦硒(CuInSe2,一般簡(jiǎn)稱CIS)/銅銦鎵硒(CuInGaSe2,一般簡(jiǎn)稱CIGS)。 經(jīng)過(guò)幾年的快速發(fā)展,單結(jié)非晶硅薄膜電池的效率達(dá)到7%左右,但是,其光致衰減現(xiàn)象還一直沒(méi)能解決,相同功率條件下,需要更大的安裝面積和成本。 在此情況下,近年發(fā)展的微晶硅多結(jié)電池效率已經(jīng)達(dá)到了10%,同時(shí)也部分克服了其衰減問(wèn)題,所以,其必將在未來(lái)太陽(yáng)能市場(chǎng)占有重要地位。 CdTe薄膜電池的實(shí)驗(yàn)室效率可以達(dá)到16%,組件效率達(dá)到10%,缺點(diǎn)是Cd是重金屬元素,會(huì)對(duì)環(huán)境和人體帶來(lái)危害。 但是,它的制備工藝簡(jiǎn)單,成本很低,可以滿足一定區(qū)域的實(shí)際利用,也會(huì)在未來(lái)光伏市場(chǎng)占有一定的份額。
銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池具有多層膜結(jié)構(gòu),包括金屬柵狀電極、減反射膜、窗口層(ZnO)、過(guò)渡層(CdS)、光吸收層(CIGS)、金屬背電極(Mo)、玻璃襯底等。 其中,吸收層CIGS是(化學(xué)式CuInGaSe2)由四種元素組成的具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體,是薄膜電池的關(guān)鍵材料。

銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池現(xiàn)狀及未來(lái)
- 發(fā)布日期:2014-07-09 08:03:24
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